Das eBook Angewandte Mikroelektronik wurde von Hans Lohninger zur Unterstützung verschiedener Lehrveranstaltungen geschrieben. Weitere Informationen finden sie hier.


Gleichrichterdioden

Allgemein gebräuchliche Gleichrichterdioden haben zulässige Sperrspannungen von einigen 100 bis 1000 V und können Ströme bis zu einigen zehn Ampere bewältigen. Bei diesen Dioden ist auf die an der Diode entstehende Verlustleistung zu achten. Da die Durchlassspannung für Si-Dioden zwischen 0.6 und 1.0 V (je nach Stromstärke und Temperatur) liegt, entsteht an einer Diode, die einen Strom von beispielsweise 10 A leitet, eine Verlustleistung von ca. 8 W. Es ist daher durch entsprechende Dimensionierung des Kühlkörpers dafür zu sorgen, dass die Temperatur der Sperrschicht 125 °C nicht übersteigt.

Da Gleichrichterdioden oft in Brückenschaltungen eingesetzt werden, werden von den Halbleiterherstellern auch fix und fertige Gleichrichterbrücken angeboten, die entweder in einem Plastik- oder Metallgehäuse eingegossen sind.

Anordnung der Dioden in einer Gleichrichterbrücke.

In der nachfolgenden Tabelle sind die wichtigsten Daten ausgewählter Dioden aufgelistet.

Bauteil Mat. Fnkt. URM [V] I0 [mA] Pv [mW] IR [nA] trr [ns]
AA143 Ge D 25 60 80 4000 -
AA144 Ge U 90 45 80 25000 -
BA170 Si S 20 150 300 50 100
BAV20 Si U 200 200 400 100 50
BAW75 Si S 25 150 500 100 4
BAX12 Si K 90 400 400 100 35
BAY80 Si U 150 200 - 100 50
1N4148 Si S 75 150 500 25 4
1N4448 Si S 75 150 500 25 4
D...Demodulatordiode    G...Gleichrichterdiode    K...Kontaktschutzdiode    S...Schaltdiode    U...Universaldiode    URM...Spitzensperrspannung    I0...Richtstrom in Einwegschaltung    Pv...maximal zulässige Verlustleistung    IR...Sperrstrom    trr...Sperrverzugszeit


Last Update: 2008-05-31