Das eBook Angewandte Mikroelektronik wurde von Hans Lohninger zur Unterstützung verschiedener Lehrveranstaltungen geschrieben. Weitere Informationen finden sie hier.

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Siehe auch: Experiment: Aufbau einer Lichtschranke, Fotodiode, Fotomultiplier, Fotowiderstand, Transistoren 
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Fototransistor

Der Fototransistor hat als Kollektor-Basis-Strecke eine Fotodiode integriert, die den Basisstrom des Transistors erzeugt. Der Basisstrom wird mit der Stromverstärkung des Transistors multipliziert und steht in verstärkter Form am Emitter zur Verfügung. Der Basisanschluss des Fototransistors wird manchmal auch weggelassen. Dadurch kann der Fototransistor in ein billiges LED-Gehäuse eingegossen werden. Die Grenzfrequenz eines Fototransistors liegt mit etwa 250 kHz wesentlich niedriger als die einer Fotodiode. Bei Foto-Darlington-Transistoren liegt diese nochmals um einen Faktor zehn niedriger:

Anstiegszeiten zweier typischer Fototransistoren in Abhängigkeit vom Lastwiderstand.

Die spektrale Empfindlichkeit eines Fototransistors hängt unter anderem auch vom Gehäuse ab, in das er eingebaut ist. Infrarot-Transistoren sind meist in ein undurchsichtiges Epoxy-Gehäuse eingegossen, da das Epoxy-Harz zwar sichtbares Licht blockiert, IR aber durchlässt. Die folgende Abbildung zeigt die Emfindlichkeit eines typischen Fototransistors in Abhängigkeit der Wellenlänge des eingestrahlten Lichts.

Spektrale Empfindlichkeit eines Fototransistors.
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Last Update: 2008-05-31