Fotowiderstand
Fotowiderstände bestehen aus Halbleitern ohne Sperrschicht. Das verwendete
Material hängt von der gewünschten spektralen Empfindlichkeit des
Fotowiderstands ab. Für sichtbares Licht wird Cadmiumsulfid (CdS, maximale
Empfindlichkeit bei 520 nm) oder Cadmiumselenid (CdSe, maximale Empfindlichkeit
bei 730 nm) verwendet. Der Widerstand eines solchen Bauelements verhält sich bei
konstanter Beleuchtungsstärke wie ein Ohm'scher Widerstand, das heißt, der
Widerstand hängt nicht von der angelegten Spannung ab. Jedoch tritt bei
Fotowiderständen ein Memory-Effekt auf: Der für eine bestimmte
Beleuchtungsstärke gemessene Widerstand hängt innerhalb gewisser Grenzen von der
Vorgeschichte des Bauelements ab. Der Zusammenhang zwischen Widerstand und
Beleuchtungsstärke ist in erster Näherung exponentiell, wobei natürlich bei den
Extremwerten (keine oder sehr starke Beleuchtung) eine Abweichung vom
exponentiellen Verhalten auftritt. Die unten stehende Abbildung zeigt eine
typische Kennlinie eines Fotowiderstands.
Der Widerstand eines Fotowiderstandes ist bei niedrigen
Beleuchtungsstärken stark von der Temperatur abhängig und kann sich bei 0.1 lx
bis zu einen Faktor fünf über einen Temperaturbereich von 150° ändern. Ein
Fotowiderstand ist ein langsames Bauelement. Er benötigt zum Einstellen auf
einen stationären Wert je nach Beleuchtungsstärke Millisekunden bis zu einigen
Sekunden. All diese Eigenschaften (Memory-Effekt, starke Temperaturabhängigkeit,
unterschiedliche Einstellzeit) machen den Fotowiderstand zu einem Bauelement,
das nur unter ganz bestimmten Bedingungen eingesetzt wird, wenn es auf hohe
Genauigkeit und Reproduzierbarkeit nicht ankommt.
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