Das eBook Angewandte Mikroelektronik wurde von Hans Lohninger zur Unterstützung verschiedener Lehrveranstaltungen geschrieben. Weitere Informationen finden sie hier.


Home Anhang Spannungsbezeichnungen
Siehe auch: Akronyme 

Abkürzungen für Spannungsbezeichnungen

Spannungsbezeichnungen findet man in jedem Schaltplan. Oft sind aber die wirklichen Leitungsverbindungen zur Spannungsversorgung nicht eingezeichnet sondern durch ein Kürzel symbolisiert. In der folgenden Tabelle sind die häufigsten Abkürzungen zusammen gestellt:

VB Spannung an der Basis eines Transistors
VBAT Batteriespannung
VBB Verbindung der Bulks (Wannen) von MOSFETs, meist -5V
VBE Spannung zwischen Basis und Emitter bei Bipolartransistoren
VC Spannung am Kollektor eines Bipolartransistors
VCC Pluralbildung: Spannung an den Kollektoren, bei bipolaren ICs entspricht das der positiven Versorgungsspannung
VCE Spannung zwischen Kollektor und Emitter bei Bipolartransistoren
VCE,sat Spannung zwischen Kollektor und Emitter im Sättigungszustand des Transistors
VD Spannung am Drain eines MOSFETs
VDD positive Versorgungsspannung von MOS Schaltkreisen (an dieser hängen viele Drains der NMOSFETs)
VDS Spannung zwischen Drain und Source bei MOSFETs
VE Spannung am Emitter
VEE Spannung an den Emittern, negative Versorgungsspannung z.B. bei ECL ICs.
VG Spannung am Gate
VGS Spannung zwischen Gate und Source bei MOSFETs
VIN Eingangsspannung
VOUT Ausgangsspannung
VPP Spannungsdifferenz zwischen positiver und negativer Spitzenspannung (Peak to Peak), aber auch Programmierspannung bei (E)EPROMs
VREF Referenzspannung
VS Spannung am Source-Pin eines MOSFETs
VSS negative Versorgungsspannung von MOS Schaltkreisen, oft identisch mit GND

Last Update: 2005-10-29